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王曦 人物履历 担任职务 第二十届中央候补委员,广东省委常委、省政府副省长、党组成员

2023-07-26 20:30 王曦

 王曦 人物履历 担任职务 第二十届中央候补委员,广东省委常委、省政府副省长、党组成员

王曦 人物履历 担任职务 第二十届中央候补委员,广东省委常委、省政府副省长、党组成员

第二十届中央候补委员,广东省委常委、省政府副省长、党组成员

王曦,男,汉族,1966年8月生,江苏南通人,2001年4月加入中国共产党,1990年6月参加工作,中国科学院上海冶金研究所材料物理专业毕业,研究生学历,工学博士,中国科学院院士,研究员。现任第二十届中央候补委员,广东省委常委、省政府副省长、党组成员。

1987年王曦从清华大学毕业后进入中国科学院上海冶金研究所学习,先后获得硕士、博士学位;1996年作为访问学者前往德国罗森多夫研究中心;1998年回国担任离子束国家重点实验室主任,同时担任“高端硅基SOI材料”制备研究项目的负责人;1999年获得国家杰出青年科学基金资助;2001年参与创建了上海新傲科技有限公司;2007年出任上海新傲科技股份有限公司董事长,并担任“极大规模集成电路制造技术及成套工艺”科技重大专项总体专家组副组长;2009年当选中国科学院院士;2010年当选为第11届中华全国青年联合会副主席;2012年被聘为上海市决策咨询委员会成员;2016年当选中国科学技术协会第九届全国委员会副主席;2017年出任中国科学院上海高等研究院院长;2018年出任亚洲科学理事会主席。

王曦致力于载能粒子束与固体相互作用物理现象的研究,包括先进电子材料和功能薄层材料的研究与开发以及表面工程等。

中文名

王曦

国籍

中国

民族

汉族

籍贯

江苏南通

出生日期

1966年8月日

毕业院校

清华大学、中国科学院上海冶金研究所

政治面貌

王曦

出生地

上海

职业

教学科研工作者

主要成就

2009年当选中国科学院院士

人物履历

1983-1987年 清华大学工程物理系核材料科学专业学习

1987-1990年 中国科学院上海冶金研究所材料物理专业硕士研究生

1990-1994年 中国科学院上海冶金研究所研究实习员(其间:1990.09-1993.12 中国科学院上海冶金研究所材料物理专业在职研究生学习,获工学博士学位;1993.07-1994.05 澳大利亚联邦科学与工业研究院访问学者)

1994-1995年 中国科学院上海冶金研究所副研究员

1995-1996年 中国科学院上海冶金研究所第十六研究室副主任

1996-1997年 中国科学院上海冶金研究所第三研究室副主任

1997-1998年 中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室主任

1998-2001年 中国科学院上海冶金研究所第三研究室主任(1996.05-1998.06 德国罗森多夫研究中心访问学者)

2001-2002年 中国科学院上海微系统与信息技术研究所第三研究室主任

2002-2004年 中国科学院上海微系统与信息技术研究所所长助理、第三研究室主任兼上海新傲公司经理(其间:2003.09-2003.12 上海市科技党校中青年干部培训班学习)

2004-2007年 中国科学院上海微系统与信息技术研究所副所长、党委副书记

2007-2009年 中国科学院上海微系统与信息技术研究所党委书记、副所长

2009-2010年 中国科学院上海微系统与信息技术研究所党委书记、常务副所长(2009.12当选中国科学院院士)

2010-2016年 中国科学院上海微系统与信息技术研究所所长

2016-2019年 中国科学院上海微系统与信息技术研究所所长兼中国科学技术协会副主席(2017.04任中国科学院上海高等研究院院长)

2019-2020年 科学技术部副部长、党组成员,中国科学技术协会副主席(兼)

2020-2022年 广东省政府副省长、党组成员

2022- 广东省委常委,省政府副省长、党组成员[2]

担任职务

第十九届、第二十届中央候补委员,中共广东省第十三届委员会委员,广东省第十三届人大代表。[2]

社会任职

担任职务

国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”技术副总师

中国材料研究学会青年委员会

上海市半导体材料专业委员会主任

上海市真空学会等常务理事

复旦大学重点实验室学术委员会委员

中科院上海原子核研究所重点实验室学术委员会委员

中科院上海微系统与信息技术研究所重点实验室学术委员会委员

中科院上海硅酸盐研究所重点实验室学术委员会委员

工作分工

负责教育、科技、外国专家、工业和信息化、人力资源社会保障、文化、旅游、文物、广播电视、体育方面工作。

分管省教育厅、科技厅、工业和信息化厅、人力资源社会保障厅、文化和旅游厅、广电局、体育局、科学院。

联系省版权局、电影局,省社科院,省工商联、科协、社科联、文联、作协,省通信管理局、专用通信局、烟草专卖局,中科院驻粤相关机构。

学术经历

1966年8月,王曦出生于上海,原籍江苏南通。1983年,从江苏省南通中学毕业,并考入清华大学工程物理系。

1987年,提前毕业并保送到中国科学院上海冶金研究所(现中国科学院上海微系统与信息技术研究所,简称上海微系统所),主攻离子注入方向,先后获得硕士(1990年)、博士学位(1993年)。

1993年,博士毕业后留所工作,先后担任助理研究员、副研究员、室副主任、研究员(1996年破格晋升)、博士生导师(1998年-)、室主任、所长助理。

1993年7月,赴澳大利亚联邦科学与工业研究院访问学者(至1994年5月)。

1996年5月,前往欧洲最大的离子束材料研究基地德国罗森多夫研究中心做洪堡访问学者。

1998年6月,等不及还有一年才结束的洪堡访问学者研究,回国竞聘成为离子束国家重点实验室主任,同时担任“高端硅基SOI材料”制备研究项目的负责人。

1999年,获得国家杰出青年科学基金资助。

2001年7月,上海微系统所发起成立了上海新傲科技有限公司,王曦和SOI课题组的几位骨干一同进入公司。

2004年4月,出任上海微系统所党委副书记兼副所长。

2007年1月,出任上海微系统所党委书记兼副所长,上海新傲科技股份有限公司董事长,国家中长期科学与技术发展规划“极大规模集成电路制造技术及成套工艺(02专项)”科技重大专项总体专家组副组长。

2009年3月,担任上海微系统所党委书记、常务副所长,法定代表人。12月,当选中国科学院院士(技术科学部)。

2010年8月26日,当选为第十一届全国青年联合会副主席,担任科学技术界别工作委员会主任委员。

2012年,被聘为上海市决策咨询委员会成员。

2013年5月,在上海市科委和嘉定区支持下,在嘉定注册成立上海微技术工业研究院,参考比利时IMEC和台湾工研院ITRI等模式,建立集研发、工程、资讯、孵化及投资于一体的产业加速体系。

2016年6月2日,中国科协第九次全国代表大会举行第九届全委会第一次会议,王曦当选中国科学技术协会第九届全国委员会副主席。

2017年5月,出任中国科学院上海高等研究院院长。

2018年6月,出任亚洲科学理事会主席(至2020年6月)。

主要成就

科研成就

  • 科研综述

王曦长期致力于载能离子束与固体相互作用物理现象研究,并将研究成果应用于电子材料SOI(Silicon-on-insulator)的开发。在对离子注入SOI合成过程中的物理和化学过程研究基础上,自主开发了一系列将SOI材料技术产业化的关键技术,建立了中国SOI材料研发和生产基地。2008年制备出中国第一片8英寸键合SOI晶片,实现了SOI晶片制备技术的重要突破。在载能离子束与固体相互作用以及离子束辅助薄膜沉积技术研究方面,揭示了载能离子作用下薄膜表面微结构、相组分、电子学、光学、生物学特性,实现了载能离子束薄膜生长的可控制性。

  • 科研项目&成果奖励

截至2017年,王曦主持完成了包括国家“863”计划“超大规模集成电路配套材料”重大专项项目在内的多个国家级项目,并获得上海市科学技术进步一等奖,国家科技进步一等奖,中国科学院杰出科技成就奖等。

  • 成果奖励

时间

项目名称

奖励名称

2005年

上海市科学技术进步一等奖(排名第一)

2006年

高端硅基SOI材料研究和产业化

国家科技进步一等奖(排名第一)

2007年

中国科学院杰出科技成就奖(排名第一)

人才培养

截至2012年,王曦在中国科学院上海微系统与信息技术研究所(原中国科学院上海冶金研究所)一共培养博士生10多名,硕士生4名。根据中国科学技术信息研究所、国家工程技术数字研究馆信息、全国图书馆参考咨询联盟,王曦培养学生情况如下:

年度

题目

作者

学位

2012

0.13微米SOI工艺仿真及PD SOI器件特性研究

罗杰馨

博士

2011

SOI基平板光子晶体制备与自准直效应研究

杨志峰

博士

2011

体硅及绝缘体上应变硅、应变储硅制备技术研究

薛忠荣

博士

2011

PDSOI MOS器件总剂量辐射效应和FDSOI高迁移率MOS器件研究

俞文杰

博士

2009

不同源CMOS/SOI器件的总剂量辐射异同性研究及ESD保护电路的设计

田浩

博士

2009

SOI基光耦合器与二维光子晶体研究

方娜

硕士

2008

SOI微机械结构和相关器件研究

武爱民

博士

2008

PD CMOS/SOI抗辐射54HC电路设计及制造

贺威

博士

2004

改性碳纳米管及其场发射性能研究

张继华

博士

2004

图形化SOI技术研究

董业民

博士

2002

新型氮氧复合埋层SOI及其抗总剂量辐照研究

刘相华

硕士

2002

LFRF-PECVD法制备碳纳米管材料的工艺、微结构及场发射性能的研究

于伟东

博士

2001

SOI圆片线位错和针孔密度及PIII新技术的研究

郑望

硕士

2000

真空磁过滤弧沉积非晶金刚石薄膜及其在生物医学材料领域中的应用研究

俞柳江

硕士

2000

场发射平板显示器阳极荧光材料及器件的研究

李炜

博士

2000

SOI圆片制备技术研究

陈猛

博士

1997

真空磁过滤弧沉积薄膜合成及其性能研究

赵建平

博士

荣誉表彰

时间

荣誉/表彰

1998年

国务院颁发的政府特殊津贴

2008年

何梁何利基金科学与技术进步奖

2008年

第八届中国科学院杰出青年

2009年12月

中国科学院院士

2017年5月

全国创新争先奖

2017年

上海市科技功臣奖

上海市优秀科研院所长奖

上海市领军人才

“十一五”国家科技计划执行突出贡献奖

人物评价

王曦是中国高端集成电路衬底材料的主要开拓者和领军人物,他长期致力于载能离子束与固体相互作用物理现象研究,并将其应用于高端集成电路衬底材料SOI的开发,解决了中国急需的航天电子器件的“有无”问题;基于这一核心技术创建了中国唯一的SOI材料研发和生产基地,成功实现了中国SOI材料的产业化,推动了中国微电子材料的跨越式发展。(中国科学院上海分院评)

参考资料
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